Den enkle gate-drivenheten til lavspenningsdrevet krets
Maksimal gate-kilde spenning av en typisk strøm FET er ca 20V, så i en 24V applikasjon, må gate-spenningen ikke overstige 20V, noe som øker kompleksiteten til kretsen. Men i applikasjoner med 12V eller lavere, kan kretsen bli sterkt forenklet.
Det venstre bildet viser den ene siden av en 12V-transaksjon, og triodelen av den øvre kretsen er erstattet av to dioder og to motstander. (Merk at logikken i diagrammet ovenfor er reversert.) På grunn av tilstedeværelsen av portkapasitansen til FET, forårsaker lading av kondensatoren gjennom R3 og R4 at FET forsinker ledningen; og direkte utleder portkapasitansen gjennom dioden for å påvirke felteffekten. Røret kuttes umiddelbart, slik at man unngår felles tilstandsledning.
Denne kretsen krever en firkantbølgeimpuls med en skarp kant ved IN-inngangen. Derfor, etter at styresignalet er koblet fra en mikrokontroller eller annen åpen utgangsenhet, må den passere en Schmitt-utløser (for eksempel 555) eller en høyhastighets komparator med push-pull-utgang. Kan motta IN-enden. Hvis inngangskanten er for langsom, vil diodeforsinkelseskretsen miste effekten.
Valget av R3 og R4 er relatert til stigende og fallende hastighet på kanten av IN-signalet. Jo brattere kanten av signalet, jo mindre R3 og R4 kan velges, og jo raskere kan byttehastigheten være. I boost-kretsen som brukes i Robocon-spillet (tilsvarende i prinsippet), brukes 555 før IN.
For det tredje, kanten forsinkelseskrets
I før-fase logikk kretsen forsinkes den fallende kanten av kontroll PMOS og den stigende kanten av kontroll NMOS forsettlig, og deretter blir den firkantede bølge dannet, og den felles tilstand ledningen av FET kan også unngås. I tillegg kan dette forenkle gatekjøringskretsen i sistnevnte fase, og kan være en motstandsdyktighet med lav motstand, som ikke trenger å vurdere portkapasitansen, og kan bedre tilpasses til forskjellige FET. Denne kjørekretsen ble brukt i 2003 Robocon konkurransen. Følgende figur er forsinkelsekretsen av to typer kanter:
Denne gate-drivkretsen består av en to-trinns transistor: frontstrinnet gir den riktige spenningen som kreves for å kjøre FET-porten, og sistnevnte trinn er en nivå en-emitterfølger som reduserer utgangsimpedansen og eliminerer effekten av gatekapasitans. For å sikre at den vanlige tilstanden ikke er slått på, bør inngangskanten være relativt bratt, og den ovenfor nevnte kretsen som forsinker og omformer det ovenfor kan gjøres.
Fjerde andre kjørekretser
(Relé + halvledere strømforsyning ideer)
Reléet har fordelene ved stor strøm og stabil drift, noe som i stor grad kan forenkle utformingen av kjørekretsen. I motorkjeden som trenger å oppnå hastighetsregulering, kan reléet også utnyttes fullt ut. En løsning er å bruke reléer til å styre retningen til strømmen for å endre motorens retning. I stedet for å bruke en enkelt ekstra stor strøm FET (som IRF3205, som typisk bare har N-type ekstrastrømsledninger), oppnås PWM-hastighetsregulering, som vist i høyre figur nedenfor. Dette er en måte å oppnå spesielt høy strømdrift.
Hvis du ønsker å kjøpe en motor, må du være oppmerksom på Electric Mower Ac Motor.
